133.step-downtechnique逐步深入技术。其原理是在冠部入口预备完成后，先通过手用锉和G钻完成根管口的制备，去除冠方阻碍，然后行根尖区的预备。

134.根管内的玷污层:主要由牙本质和牙髓组织碎屑组成，在感染根管内还可见到微生物，位于牙本质表面和牙本质小管内。是根管微渗漏的主要通道和细菌繁殖的培养基，根管充填前应该去除。

135.lateralcondensationtechnique:侧方加压充填法。将与主尖锉一致的牙胶尖放入根管内，用侧方加压器加压，然后插入副尖，如此反复直至根管充填严密的方法。

136.verticalcondensationtechnique:垂直加压充填法。加热根管中的充填材料使其软化，进而通过向根尖方向垂直加压，促使充填材料更为致密地充填根管各解剖区域达到严密封闭根管的效果。(口腔考研首选金英杰教育)

137.continuouswavecondensationtechnique:连续波充填技术。是垂直加压充填技术的一种。通过使用特殊设计的携热设备一步完成侧支根管和主根管尖1/3的充填，根管上段的充填可通过热塑牙胶注射充填法完成。

138.PTED，post-treatmentendodonticdisease:根管治疗后疾病。根管治疗后患牙的根尖周病未愈合或出现新的病变，临床表现主要为患牙根管治疗后疼痛的持续存在或根尖周病经久不愈。主要致病因素包括:微生物感染、异物反应、根尖周囊肿以及治疗相关因素。